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HN32512直接替代KP3210SGA/KP3210BSGA非隔離降壓芯片12V
類別:產品新聞 發布時間:2026-01-08 11:43:40 瀏覽人數:15793

過去十年,KP3210SGA(及其升級版 KP3210BSGA)憑借 500 V 內置 MOS、固定 12 V 輸出和無需補償網絡的簡潔設計,成為小風扇、機頂盒、水表、傳感器等非隔離 12 V 供電的“缺省選項”。然而,海外交期拉長、成本波動、OTP/線補功能缺失,讓硬件工程師開始尋找“直接 Drop-in”的新方案。
HN32512 在管腳、外圍、關鍵性能上實現與 KP3210SGA 零成本切換,并在 EMI、動態響應、保護完整性方面給出增量價值,成為 12 V 非隔離市場的“繼任者”。

Pin-to-Pin 硬件對比


項目KP3210SGAHN32512遷移說明
封裝SOP-8LSOP-8L1:1 尺寸與腳序
內置 MOS500 V/4 Ω500 V/5 ΩRdson 近似,效率持平
CS 限流500 mV170-500 mV 隨載可變輕載效率更高
反饋方式FB 懸空=12 VFB 懸空=12 V完全兼容,無需分壓
工作頻率固定 65 kHz60 kHz(滿載)-670 Hz(空載)PWM+PFM 抖動,EMI 更優
線電壓補償內置90-264 V 全壓恒流精度±3 %
OTP150 ℃ 無重啟150 ℃ 自動重啟更安全
前沿消隱250 ns350 ns抗尖峰能力↑
頻率抖動±6 %傳導EMI 降 5 dB
結論:PCB 直接替換,僅把芯片“摳下-貼上”,其余 BOM 零變動即可上電。



外圍元件對照表


KP3210SGA 經典 12 V/0.3 A 應用(自供電)與 HN32512 1:1 映射:


  1. 輸入電容 C1:10 μF/400 V → 保留
  2. 功率電感 L1:330 μH → 保留(飽和電流≥1.2 A)
  3. 續流二極管 D1:SK34 40 V/3 A → 保留
  4. CS 電阻 R1:0.75 Ω → 保留(0.5 A OCP 點)
  5. VCC 去耦 C2:4.7 μF/25 V → 保留
  6. FB 分壓:無需,懸空即 12 V → 保留
  7. 假負載:12 mW 以下 → 保留


實測同一板子,負載調整率由 ±2.8 % 提升到 ±1.5 %;空載輸入功耗從 0.21 W 降至 0.18 W,輕松滿足 CoC V5 Tier-2 待機≤0.21 W 限值。



關鍵性能實測


條件:Vin=230 VAC,Vo=12 V/0.3 A,25 ℃,無風扇散熱


項目KP3210SGAHN32512備注
滿載效率78.2 %79.1 %PFM+PWM 過渡平滑
空載輸入0.21 W0.18 W頻率跌落至 670 Hz
輸出紋波120 mV95 mV抖動擴頻降低峰值
傳導EMIQP 余量 3 dBQP 余量 8 dB頻率抖動+斜坡補償
動態響應±8 %±5 %線補+3 kHz 最低動態頻率
OTP 重啟150 ℃ 自恢復,不鎖死


設計小貼士(適用于HN32512)


  1. 輸出電壓微調
    若需 12.6 V 或 11.4 V,可在 FB 對 GND 接 1 MΩ 上下分壓,總和≥150 kΩ 保持環路穩定。
  2. 假負載選取
    建議 4.7 kΩ/0.25 W,功耗≈12 mW,既穩壓又滿足空載待機≤0.21 W。
  3. 電感飽和電流
    按 OCP 峰值 0.9 V/Rcs 計算,確保 ≥2.4×Io;0.5 A 輸出選 1.2 A 以上飽和電流。
  4. PCB 布局
    • 功率環(D-電感-輸出電容)面積最小化;
    • CS 采樣走線遠離高壓節點,采樣電阻靠近 GND 腳;
    • VCC 電容緊貼芯片 1、2 腳,形成去耦環路<2 mm。
  5. 認證加速
    HN32512 已通過 EN55032 Class B 輻射/傳導模板測試,替換后無需重新送整機,僅需差異報告即可。



典型應用案例


  1. 12 V/0.3 A 小風扇 —— 自供電,BOM 成本 ↓8 %
  2. 12 V/0.25 A 智能水表 —— 線補保證 90-264 V 全壓 ±3 % 精度
  3. 12 V/0.4 A 機頂盒輔助電源 —— OTP+重啟,避免高溫鎖死
  4. 12 V/0.2 A 傳感器電源 —— 頻率抖動,EMI 一次通過


結語


KP3210SGA/KP3210BSGA 奠定了 12 V 非隔離市場的黃金標準,而 HN32512 在“腳位-外圍-性能”三維實現無縫平移的同時,給出更低的待機、更優的 EMI、更完整的保護。深圳三佛科技提供技術支持,批量價格有優勢~

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