HN0501 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用常見的 SOT23-3L 封裝，卻擁有 100V 漏源耐壓與 5A 連續(xù)電流能力，Rdson 典型值僅 135mΩ（@10V）。憑借“高耐壓 + 低導阻 + 小體積”組合，它在中壓、中小功率場合（LED 驅(qū)動、電機 H 橋、DC-DC 同步整流等）成為硬件工程師口袋里的“萬能開關(guān)”。

關(guān)鍵參數(shù)一覽

Rdson 隨溫度曲線25°C 時 135mΩ，150°C 約 1.8 倍，仍遠低于同封裝 100V 器件常見 200mΩ 水平。

封裝與熱設(shè)計

• 頂層 1in2 銅箔 + 9 個 0.3mm 過孔到內(nèi)層地，實測 RθJA 可降至 ≈41°C/W
• 1A 持續(xù)電流時，導通損耗 I2R=0.135W，溫升僅 6.8°C，遠小于 2.5W 額定功耗

I-V 與開關(guān)特性

典型應(yīng)用電路

1. 24V→12V 同步 Buck（2A）
   • 上管：HN0501 ×1
   • 下管：HN0501 ×1（同步 MOSFET）
   • 頻率：300kHz
   • 實測效率 94.2%@2A，板溫 <45°C
2. LED 升壓恒流 36V 300mA
   • 開關(guān)管：HN0501
   • 控制器：任何 SOT23-6 Boost IC
   • 電感：22μH，飽和電流 >1A
   • 無散熱器，連續(xù)工作 8h 殼溫 60°C
3. H 橋直流電機驅(qū)動 24V 1A
   • 4×HN0501 組成全橋
   • 柵極串 10Ω 抑制尖峰，體二極管續(xù)流
   • 正反轉(zhuǎn) + 剎車，PCB 面積 20mm×25mm 完成

驅(qū)動與保護設(shè)計

• 柵極驅(qū)動
  Qg=15.5nC，峰值電流 1A 即可在 15ns 內(nèi)完成充放電；>6V 驅(qū)動保證 Rdson 進入飽和區(qū)。
• 防靜電
  HBM>2kV，但在高速接口仍建議 5V 齊納做 G-S 鉗位，避免感應(yīng)擊穿。
• 雪崩能量
  單脈沖雪崩 100mJ，可承受一定感性負載；若頻繁雪崩，建議在漏極并 RC 吸收。

與同規(guī)格競品對比

在 100V 級別里，HN0501 的導通電阻與柵電荷均處于領(lǐng)先，價格與交期優(yōu)于國際大廠，適合大批量消費類與工業(yè)級應(yīng)用。

總結(jié)

HN0501 把 100V 耐壓、135mΩ 低導阻和 15.5nC 低柵電荷濃縮進拇指蓋大小的 SOT23-3L：

• 高壓側(cè)開關(guān)、同步整流、H 橋臂，皆可勝任
• 100kHz-300kHz 硬開關(guān)損耗低，EMI 友好
• 2.5W 功耗極限，配合銅箔散熱，可連續(xù) 5A 工作
• 與 3.3V/5V MCU 直接接口，省掉驅(qū)動 IC，進一步降本

當空間、成本、可靠性必須同時兼顧時，HN0501 就是硬件工程師口袋里的“百伏級萬能開關(guān)”。深圳三佛科技提供技術(shù)支持，批量價格有優(yōu)勢~